EUV曝光原理

2020年12月4日—EUV，全名為ExtremeUltraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才 ...,2023年3月10日—簡單來說，當工程師規劃好晶圓上各區域的功能後，會將電路圖刻在石英片上面，製作成「光罩」，當光束從光罩上方照下來，透過由透鏡組成的光學系統，照射到 ...,2023年4月5日—EUV曝光機光源波長為13.5nm，當光源從193nm光子移動到13.5nm光子...

參考資訊如下
EUV是個什麼酷東西？ — 決定未來半導體先進製程的關鍵技術

2020年12月4日 — EUV，全名為Extreme Ultraviolet，中文叫做「極紫外光」，是一種波長極短的紫外光，一般生活中要塗乳液防曬的紫外線波長約在100~400奈米，而極紫外光才 ...

全球瘋搶EUV 曝光機！究竟是摩爾定律的救命曙光

2023年3月10日 — 簡單來說，當工程師規劃好晶圓上各區域的功能後，會將電路圖刻在石英片上面，製作成「光罩」，當光束從光罩上方照下來，透過由透鏡組成的光學系統，照射到 ...

半導體光阻材料技術

2023年4月5日 — EUV曝光機光源波長為13.5 nm，當光源從193 nm光子移動到13.5 nm光子時 ... 材料檢測與模擬設計之原理與應用 · 更多.

半導體產業不可或缺的曝光機，是「這些企業」的心血結晶！

2021年9月18日 — 從原理上看，曝光機的工作原理，就是讓光穿過光掩模，然後通過一系列透鏡將其縮小，最終落在覆蓋有曝光膠的基板上。由於光掩模，曝光膠的某些部分被光照射 ...

挽救摩爾定律：ASML 極紫外光（EUV）微影技術量產的開發歷程

2021年2月15日 — EUV 光的產生是用二氧化碳雷射每秒5 萬次去轟擊液態錫滴。出來的EUV 光通過一個直徑為0.65 公尺的橢球反光鏡送進微影機台裡頭。錫滴位於橢球反光 ...

摩爾定律的華麗謝幕：EUV微影機

2020年10月22日 — 此機的概念是由中研院院士林本堅任職於台積電所提出的，原理上當光通過液體介質的時候，其速度會變慢，也就是波長會變短。因此若將被曝光的晶圓浸泡在 ...

極紫外光微影製程

EUV光罩與傳統光罩也截然不同，具複合多塗層反射鏡(分散式布拉格反射器)的光罩可將電路圖案反射到晶圓上。這種多層膜光罩雖然可維持光罩的反射率，但另一方面會影響臨界線 ...

藉助CO 2 高功率雷射系統和錫產生EUV輻射

製造晶片時TRUMPF高功率雷射放大器發揮關鍵作用：因為藉助它可生成發光等離子體，從而提供極紫外光(EUV) 曝光晶圓。TRUMPF與全球最大的光刻系統製造商ASML以及光學元件製造 ...

解讀《晶片戰爭》：世界上最複雜的機器「EUV曝光機」，為什麼 ...

2023年10月28日 — 解讀《晶片戰爭》：世界上最複雜的機器「EUV曝光機」，為什麼只有ASML做得出來？ ... 原理pic.twitter.com/YBlcx2BFfz. — 宝玉(@dotey) July 25, 2023. 後來 ...